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机译:MOVPE改善了InP外延横向过长
Julian Nick H.; Mages Phil A.; Zhang Chong; Bowers John E.;
机译:V / III比率变化的MOVPE聚合InP外延横向过长
机译:氢化物气相外延生长条件对InP / Si(001)衬底上InP外延横向过生长的影响
机译:利用外延横向过生长来增加电压的薄硅太阳能电池的设计,制造和分析
机译:使用两步横向外延过生长过滤半极性(11-22)GaN中的缺陷
机译:波纹外延横向过度生长形成的直接INP / SI异质结的光学和界面性质
机译:表皮横向过度生长基质,其制造方法以及具有表皮横向过度生长基质的氮化物半导体器件
机译:III族氮化物外延层与III族氮化物缓冲层的单级外延外延生长和单级横向外延生长
机译:具有III族-氮化物缓冲层和结果结构的III族-氮化物表层的单步悬垂和横向表观过度生长
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