首页> 外文OA文献 >Short-time-scale threshold voltage shifts in organic field-effect transistors caused by dipoles on insulator surface

【2h】

Short-time-scale threshold voltage shifts in organic field-effect transistors caused by dipoles on insulator surface

机译：绝缘体表面上的偶极子引起的有机场效应晶体管中的短时标阈值电压漂移

代理获取

本网站仅为用户提供外文OA文献查询和代理获取服务，本网站没有原文。下单后我们将采用程序或人工为您竭诚获取高质量的原文，但由于OA文献来源多样且变更频繁，仍可能出现获取不到、文献不完整或与标题不符等情况，如果获取不到我们将提供退款服务。请知悉。

页面导航

著录项
引文网络
相似文献
相关主题

著录项

作者
Suemori Kouji; Taniguchi Misuzu; Uemura Sei; Yoshida Manabu; Hoshino Satoshi; Takada Noriyuki; Kodzasa Takehito; Kamata Toshihide;
展开▼
作者单位

展开▼
年度 2011
总页数
原文格式 PDF
正文语种
中图分类

相似文献

外文文献
中文文献
专利

1. Threshold voltage shift in organic field effect transistors by dipole monolayers on the gate insulator [J] . K. P. Pernstich, S. Haas, D. Oberhoff, Journal of Applied Physics . 2004,第11期

机译：栅绝缘子上的偶极单分子层在有机场效应晶体管中的阈值电压偏移
2. Temporal Changes In Source-drain Current For Organic Field-effect Transistors Caused By Dipole On Insulator Surface [J] . Kouji Suemori, Misuzu Taniguchi, Sei Uemura, Applied physics express . 2008,第6期

机译：绝缘子表面上的偶极子引起的有机场效应晶体管源漏电流的时间变化
3. Influence Of Fine Roughness Of Insulator Surface On Threshold Voltage Stability Of Organic Field-effect Transistors [J] . Kouji Suemori, Sei Uemura, Manabu Yoshida, Applied Physicsletters . 2008,第3期

机译：绝缘子表面的细度对有机场效应晶体管的阈值电压稳定性的影响
4. Instability for Organic Field Effect Transistors Caused by Dipole on Insulator Surface [C] . Kouji Suemori, Misuzu Taniguchi, Toshihide Kamata 9th International Conference on Solid-State and Integrated-Circuit Technology（第9届固态和集成电路国际会议）论文集 . 2008

机译：绝缘子表面上的偶极子引起的有机场效应晶体管的不稳定性
5. The Use of Ferroelectrics and Dipeptides as Insulators in Organic Field-Effect Transistor Devices. [D] . Knotts, Grant. 2017

机译：铁电体和二肽在有机场效应晶体管器件中作为绝缘体的用途。
6. Tuning the threshold voltage in electrolyte-gated organic field-effect transistors [O] . Loïg Kergoat, Lars Herlogsson, Benoit Piro, 2012

机译：调整电解质门控有机场效应晶体管中的阈值电压
7. Threshold Voltage Shift in Organic Field Effect Transistors by Dipole-Monolayers on the Gate Insulator [O] . Pernstich, K. P., Rashid, A. N., Haas, S., 2004

机译：有机场效应晶体管的阈值电压漂移栅极绝缘子上的偶极 - 单层膜
8. Threshold Voltage Drift of InP n-Channel Enhancement Mode Metal-Insulator-Semiconductor Field-Effect Transistors. [R] . Johnson, J. G., Forrest, S. R., Zeisse, C. R., 1988

机译：Inp n沟道增强模式金属 - 绝缘体 - 半导体场效应晶体管的阈值电压漂移。

Short-time-scale threshold voltage shifts in organic field-effect transistors caused by dipoles on insulator surface

著录项

引文网络

相似文献

相关主题

期刊订阅