机译:具有间隙锂的[111] -Si纳米线的力学和电子性能的理论研究
机译:实验性TDPAC和结构,电子和高浓性特性的理论DFT研究(IN-111 - >掺杂SnO2半导体:AB Initio建模的电子捕获腐烂后效应现象
机译:Si和C端接的Sic(001)上缺少二聚体缺陷的结构和电子性质的理论研究
机译:ZnO纳米线的结构和电子特性:理论研究
机译:硅(001)上稀土硅化物的结构和电子特性:纳米线和三维岛。
机译:Mo6S3I6纳米线的结构和电子性质新提出的理论组成排序
机译:实验性TDPAC和结构,电子和高浓性特性的理论DFT研究(111IN→)111CD掺杂的SnO2半导体:AB初始型腐烂后效应现象的初始建模
机译:si(111)和si(100)上pb的理论研究,H-钝化si纳米线的全局搜索,以及mo的高度局域化的准原子最小基轨道的构造