机译:正面与背面所有接触的硅异质结太阳能电池的实验和仿真分析:界面和掺杂的a-Si:H层缺陷的影响
机译:全背接触式超薄硅纳米锥太阳能电池,功率转换效率为13.7%
机译:纳米结构引起的不同载流子产生速率分布和复合的耦合效应对全背接触超薄硅太阳能电池性能的影响
机译:继续开发ANU的全反应接触硅晶片太阳能电池
机译:开发用于下一代,更薄,更大晶体硅(c-Si)晶圆的太阳能电池的工业制造工艺。
机译:通过使用自掩膜蚀刻技术在晶圆表面形成纳米级金字塔提高多晶硅晶圆太阳能电池效率
机译:测量和模拟硅晶片质量特性的鲁棒技术,使MEMC硅晶片的太阳能电池电气性能预测。合作研发最终报告,CRADA号码CRD-11-438