机译:非晶硅薄膜晶体管的泄漏电流:注入电流,反向沟道电流和应力效应
机译:不同因素对高压应力下硅光伏组件漏电流行为的影响
机译:根据高性能数字电路模块中的电路速度,硅面积和漏电流确定睡眠晶体管的大小
机译:根据非晶硅模块的安装情况调查泄漏电流
机译:非晶态二氧化硅和非晶态氮化硅中三价硅中心的磁共振研究。
机译:薄膜单结非晶硅(a-Si)光伏模块在室外长期暴露下的行为数据
机译:根据电路速度,硅面积和高性能数字电路模块的漏电流睡眠晶体管尺寸
机译:非晶硅基薄膜光伏器件的研究:任务B,稳定高效大面积,非晶硅基子模块的研究。半年度分包合同报告,1989年3月16日至1989年11月30日。