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TRAMS Project: Variability and Reliability of SRAM Memories in sub-22nm Bulk-CMOS Technologies

机译：TRAMS项目：22纳米以下Bulk-CMOS技术中SRAM存储器的可变性和可靠性

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Canal R.; Rubio A.; Asenov A.; Brown A.; Miranda M.; Zuber P.; Gonzalez A.; Vera X.;
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年度 2011
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1. TRAMS Project: Variability and Reliability of SRAM Memories in sub-22nm Bulk-CMOS Technologies [J] . R. Canal, A. Rubio, A. Asenov, Procedia Computer Science . 2011,第1期

机译：TRAMS项目：22纳米以下Bulk-CMOS技术中SRAM存储器的可变性和可靠性
2. Statistical Variability and Reliability and the Impact on Corresponding 6T-SRAM Cell Design for a 14-nm Node SOI FinFET Technology [J] . Xingsheng Wang, Binjie Cheng, Kuang J.B., Design & Test,IEEE . 2014,第6期

机译：统计可变性和可靠性以及对14nm节点SOI FinFET技术的相应6T-SRAM单元设计的影响
3. An 8T Low-Voltage and Low-Leakage Half-Selection Disturb-Free SRAM Using Bulk-CMOS and FinFETs [J] . Pasandi G., Fakhraie S.M. Electron Devices, IEEE Transactions on . 2014,第7期

机译：使用块状CMOS和FinFET的8T低压低泄漏半选择无干扰SRAM
4. New reliability mechanisms in memory design for sub-22nm technologies [C] . Aymerich N., Asenov A., Brown A., 2011 IEEE 17th International On-Line Testing Symposium . 2011

机译：低于22nm技术的存储器设计中的新可靠性机制
5. Low-Power and High-Performance SRAM Design in High Variability Advanced CMOS Technology [D] . Ataei, Fatemeh. 2017

机译：采用高可变性先进CMOS技术的低功耗高性能SRAM设计
6. Impedance cardiography using the Sramek-Bernstein method: accuracy and variability at rest and during exercise. [O] . S H Thomas 1992

机译：使用Sramek-Bernstein方法的阻抗心动图：静止和运动时的准确性和变异性。
7. TRAMS Project: variability and reliability of SRAM memories in sub-22nm bulk-CMOS technologies [O] . Canal Corretger, Ramon, Rubio Sola, Jose Antonio, ASenov, Asen, 10000

机译：TRams项目：亚22nm体CmOs技术中sRam存储器的可变性和可靠性
8. SEU (Single Event Upset) Tolerant Memory Cell Derived from Fundamental Studies of SEU Mechanisms in SRAM (Static Random Access Memories) [R] . Weaver, H. T. , Axness, C. L. , McBrayer, J. D. , 1987

机译：sEU（单事件翻转）容忍存储器单元源自sRam中的sEU机制的基础研究（静态随机存取存储器）

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