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【2h】

Metal semiconductor contacts: the role of interface structures on the Schottky barrier

机译：金属半导体触点：界面结构在肖特基势垒上的作用

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Buuren M.R.J. van;
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年度 1997
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1. Erratum: “The role of contact size on the formation of Schottky barriers and ohmic contacts at nanoscale metal-semiconductor interfaces” [J. Appl. Phys. 111(6), 064302 (2012)] [J] . Kraya R.A., Kraya L.Y. Journal of Applied Physics . 2014,第7期

机译：勘误表：“接触尺寸对纳米级金属-半导体界面处肖特基势垒和欧姆接触形成的作用” [J.应用物理111（6），064302（2012）]
2. The role of contact size on the formation of Schottky barriers and ohmic contacts at nanoscale metal-semiconductor interfaces [J] . Kraya R. A., Kraya L. Y. Journal of Applied Physics . 2012,第6期

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4. Evaluation of the Schottky barrier parameters in the micron-size metal-semiconductor contacts [C] . Averin S. V., Lyubchenko V. E. International Crimean Conference Microwave Telecommunication Technology . 2008

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