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【2h】

Contactless electroreflectance of algan/gan heterostructures deposited on c-, a-, m-, and (20.1)-plane gan bulk substrates grown by ammonothermal method

机译：通过氨热法生长在c，a，m和（20.1）平面gan本体衬底上沉积的algan / gan异质结构的非接触电反射

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Kudrawiec R.; Rudzinski M.; Gladysiewicz M.; Janicki L.; Hageman P.R.; Strupinski W.; Misiewicz J.; Kucharski R.; Zajac M.; Doradzinski R.; Dwilinski R.;
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年度 2011
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