机译:使用更扩展的二噻吩并噻吩与呋喃侧链的二酮吡咯并吡咯聚合物可实现3.56 cm2V-1s-1的空穴迁移率
机译:3.56 cm(2)V-1 s(-1)的空穴迁移率使用呋喃侧翼的二酮吡咯并吡咯聚合物与更多的扩展二硫代噻吩
机译:通过接口工程,降低了阈值电压和二氧化吡咯吡咯 - 二噻吩聚合物基础有机晶体管的增强次数
机译:基于二噻吩并噻吩和二酮吡咯并吡咯的高双极性迁移率的D-A共聚物,用于聚合物太阳能电池和有机场效应晶体管
机译:芳基取代对双-二芳基氨基联苯掺杂的聚合物复合材料空穴迁移率的影响
机译:硫化铅纳米粒子掺杂聚合物中空穴迁移率的增强。
机译:基于二酮吡咯并吡咯的共轭聚合物其中三乙二醇为侧链具有高薄膜电荷迁移率而无需后处理
机译:电极和介电层界面装置工程研究使用Furan侧翼的二酮吡咯吡咯 - 二噻吩聚合物基有机晶体管