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【2h】

Fabrication and room-temperature single-charging behavior of self-aligned single-dot memory devices

机译：自对准单点存储器件的制造和室温单充电行为

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作者
Xiaohui, Tang; Reckinger, Nicolas; Bayot, Vincent; Krzeminski, Christophe; Dubois, Emmanuel; Villaret, Alexandre; Bensahel, Daniel;
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作者单位

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年度 2006
总页数
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1. Fabrication and Room-Temperature Single-Charging Behavior of Self-Aligned Single-Dot Memory Devices [J] . Xiaohui Tang, Reckinger N., Bayot V., IEEE transactions on nanotechnology . 2006,第期

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2. Fabrication of single-dot planar nano-devices and the application to the exchange bias characterization in nano-pillar devices [J] . Naganivetha Thiyagarajah, Lin Lin, Seongtae Bae Applied Physics Letters . 2012,第22期

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