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Potential barrier heights at metal on oxygen-terminated diamond interfaces

机译：氧终止的金刚石界面上金属的势垒高度

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Muret, Pierre; Traoré, Aboulaye,; Maréchal, Aurélien; Eon, David; Pernot, Julien; Pinero, José Carlos; Villar, Maria Del Pilar; Araujo, Daniel;
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年度 2015
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专利

1. Potential barrier heights at metal on oxygen-terminated diamond interfaces [J] . P. Muret, A. Traore, A. Marechal, Journal of Applied Physics . 2015,第20期

机译：氧终止的金刚石界面上金属的势垒高度
2. Distribution of potential barrier height local values at Al-SiO_2 and Si-SiO_2 interfaces of the metal-oxide-semiconductor [J] . K. PISKORSKT, H.M. PRZEWLOCKI Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences . 2006,第4期

机译：金属氧化物半导体的Al-SiO_2和Si-SiO_2界面处势垒高度局部值的分布
3. Ab initio study of negative electron affinity from light metals on the oxygen-terminated diamond (111) surface [J] . James Michael C., May Paul W., Allan Neil L. Journal of Physics. Condensed Matter . 2019,第29期

机译：AB Initio对氧封端金刚石（111）表面上的光金属的负电子亲和力研究
4. Optical determination and modification of Schottky barrier heights of metals on diamond surfaces [C] . Charles P. Beetz, Jr., Advanced Technology Materials, Diamond Optics V . 1992

机译：金刚石表面金属的肖特基势垒高度的光学测定和修正
5. Comparison of Barrier Heights of Selected Refractory Metals on Porous P-Type Silicon [D] . Selvam, Karthik. 2018

机译：多孔P型硅上所选难熔金属的势垒高度比较
6. Monolayer graphene/SiC Schottky barrier diodes with improved barrier height uniformity as a sensing platform for the detection of heavy metals [O] . Ivan Shtepliuk, Jens Eriksson, Volodymyr Khranovskyy, 2016

机译：具有改善的势垒高度均匀性的单层石墨烯/ SiC肖特基势垒二极管作为检测重金属的传感平台
7. Potential barrier heights at metal on oxygen-terminated diamond interfaces [O] . Muret, Pierre, Traoré, Aboulaye,, Maréchal, Aurélien, 2015

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