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【2h】

Electronic structure of epitaxial graphene layers on SiC: effect of the substrate

机译：SiC上外延石墨烯层的电子结构：衬底的影响

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作者
Varchon, François; Feng, R.; Hass, J.; Li, X.; Nguyen, Bich,; Naud, Cécile; Mallet, Pierre; Veuillen, Jean-Yves; Berger, Claire; Conrad, E.; Magaud, Laurence;
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作者单位

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年度 2007
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1. Electronic Structure of Epitaxial Graphene Layers on SiC: Effect of the Substrate [J] . F. Varchon, R. Feng, J. Hass, Physical review letters . 2007,第12期

机译：SiC上外延石墨烯层的电子结构：衬底的影响
2. Impact of substrate steps and of monolayer-bilayer junctions on the electronic transport in epitaxial graphene on 4H-SiC (0001) [J] . F. Giannazzo, I. Deretzis, A. La Magna, Materials science forum . 2013,第期

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3. Atomic-scale morphology and electronic structure of manganese atomic layers underneath epitaxial graphene on SiC(0001) [J] . Gao T., Gao Y., Chang C., ACS nano . 2012,第8期

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7. Electronic structure of epitaxial graphene layers on SiC: effect of the substrate [O] . Varchon, François, Feng, R., Hass, J., 2007

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