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A 5-GHz Class-E Power Amplifier with an Inverse Class-B Driver on 65nm CMOS

机译:具有65nm CMOS的反向B类驱动器的5 GHz E类功率放大器

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摘要

The design and simulation of a Class-E power amplifier with an Inverse Class-B driver are presented. The Inverse Class-B amplifier generates a train of half sinusoids which provides a compromise between using a sine wave and a square wave as the input waveform. The design methodology proposed includes the use of load-pull technique to determine the optimum fundamental-frequency load-impedance of the amplifiers, and a series LC resonator to improve the second-harmonic suppression level. The PA exhibited 26.3 dB gain and 57% PAE at an output power of 21.3 dBm with the second and third harmonics attenuated to 38 and 37.3 dBc respectively.
机译:介绍了具有反向B类驱动器的E类功率放大器的设计和仿真。 B类反向放大器产生一系列正弦波,这在使用正弦波和方波作为输入波形之间提供了折衷方案。提出的设计方法包括使用负载拉技术来确定放大器的最佳基频负载阻抗,以及使用串联LC谐振器来改善二次谐波抑制水平。在21.3 dBm的输出功率下,PA表现出26.3 dB的增益和57%的PAE,第二和第三谐波分别衰减到38和37.3 dBc。

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