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MOSFET parallel-connection of low-voltage MMC for LVDC distribution networks

机译:用于LVDC配电网络的低压MMC的MOSFET并联

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摘要

A highly efficient DC-AC converter is key to the success of low-voltage DC (LVDC) distribution networks. Calculated power losses in a conventional IGBT 2-level converter, a SiC MOSFET 2-level converter, a Si MOSFET modular multilevel converter (MMC) and a GaN HEMT MMC are compared. Calculations suggest that the parallel-connected Si MOSFET MMC may be the most efficient topology for this LVDC application. In this paper, the current unbalance limits for the parallel-connected MOSFETs and the optimal number of parallel-connected MOSFETs for MMC are investigated. Experimental results are presented for current sharing in parallel-connected MOSFETs and for the verification of power loss in a single Si MMC module.
机译:高效的DC-AC转换器是低压DC(LVDC)配电网络成功的关键。比较了常规IGBT 2级转换器,SiC MOSFET 2级转换器,Si MOSFET模块化多级转换器(MMC)和GaN HEMT MMC中的计算功率损耗。计算表明,对于此LVDC应用,并联的Si MOSFET MMC可能是最有效的拓扑。在本文中,研究了并联连接的MOSFET的电流不平衡极限以及MMC的最佳并联数量。给出了用于并联MOSFET中的电流共享以及单个Si MMC模块中的功率损耗验证的实验结果。

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