Nel presente lavoro di tesi si dimostra il miglioramento delle perfomances di un detector basato su pozzi quantici (QWIP-Quantum Well Infrared Photo detector)(n-type GaAs/AlGaAs) nel range infrarosso (λ ≈8.6µm), processato in un array di nano-antenne a doppio metallo. I Quantum Well detectors generano fotocorrente attivando transizioni intersottobanda nel supereticolo di pozzi quantici. Le prestazioni di questi detectors sono deteriorate dal rumore associato alla corrente di dark, proporzionale all’area del detector e dipendente esponenzialemente dalla temperatura. In questo lavoro, si dimostra che le antenneudpatches agiscono da micro-cavitá che confinano il campo elettricoudincidente in uno strato di semiconduttore con dimensioni minori della lunghezza d’onda, evitano la regola di selezione intersottobanda e raccolgono fotoni da un’area maggiore delle dimensioni fisiche del dispositivoudstesso, riducendo la corrente di dark senza diminuire la fotocorrente. Il miglioramento delle prestazioni del detector é espresso in termini di area di collezione Acoll e diudfocusing factor, l’aumento di campo locale. Queste quantitá sono state estratteudda spettri di riflettivitá presi tramite spettroscopia infrarosso a Trasformata di Fourierud(FTIR) a 300K. Caratteristiche tensione-corrente sono state misurate in condizioni dark e di background (300K) da 4K a 300K, e paragonate ad un dispositivo con la stessa regione attiva ma processato con una faccetta a 45 °. Da queste curve la temperatura di BLIP (Background Infrared Limited Performance) è stata ricavata. Misure di fotocorrente in funzione del bias sono stateudprese tramite tecnica con amplificatore lock-in. Le figure di merito responsivitá e detectivity sono state estratte dalle misure di fotocorrente, dopo la calibrazione della potenzaudradiativa incidente. Queste misure mostrano un miglioramento diud10K nelle performaneces rispetto al dispositivoudmesa, dimostrando un’elevataudsensibilitá fino a temperatura ambiente.
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