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Studio della struttura locale di droganti in quantum dots mediante spettroscopia di assorbimento di raggi X

机译:X射线吸收光谱研究量子点中掺杂剂的局部结构

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摘要

La capacità della spettroscopia di assorbimento di riuscire a determinare la struttura locale di campioni di ogni tipo e concentrazione, dagli elementi puri ai più moderni materiali nanostrutturati, rende lo studio dei meccanismi di incorporazione di droganti in matrici di semiconduttori il campo che meglio ne esprime tutto il potenziale. Inoltre la possibilità di ottenere informazioni sulla struttura locale di un particolare elemento in traccia posto in sistemi senza ordine a lungo raggio risulta, ovviamente, nello studio dei semiconduttori di grandissimo interesse. Tuttavia, la complessità di determinate strutture, generate dalla incorporazione di elementi eterovalenti che ne modificano la simmetria, può far si che all’analisi sperimentale si debbano affiancare dei metodi avanzati ab-initio. Questi approcci garantiscono, attraverso la simulazione o di strutture atomiche o dello stesso spettro XAS, di ottenere una più completa e precisa interpretazione dei dati sperimentali. Nella fase preliminare di questo elaborato si illustrerà la fenomenologia della spettroscopia di assorbimento e i fondamenti teorici che stanno alla base dell’analisi della struttura fine di soglia. Si introdurranno contemporaneamente le tecniche sperimentali con cui si realizzano le misure di spettri di assorbimento su una beamline che sfrutta sorgente di radiazione di sincrotrone facendo riferimento agli strumenti montati sulla linea LISA (o BM08) presso l’European Synchrotron Radiation Facility di Grenoble su cui si sono realizzati gli esperimenti di questo lavoro. Successivamente si realizzerà una rassegna di alcuni esperimenti simbolo della analisi della struttura locale di droganti in semiconduttori mediante XAFS, andando ad approfondire i metodi sperimentali associati. Nella parte principale della tesi verranno descritti alcuni tipi di analisi avanzate effettuate su Colloidal Quantum Dots a base di solfuro di piombo drogati con antimonio. Tali sistemi, particolarmente interessanti per potenziali applicazioni in campo optoelettrico, sono stati analizzati mediante misure di fluorescenza ottenute sulla beamline LISA. La fase di analisi ha visto la progettazione di una suite di programmi in C++ per realizzare simulazioni di uno spettro XAS teorico completo basato su strutture ottenute (anche esse) da metodi ab-initio.
机译:吸收光谱法能够确定从纯元素到最现代的纳米结构材料的所有类型和浓度的样品的局部结构的能力,使得研究掺杂剂在半导体基质中的掺入机理成为最能表达一切的领域。潜力。此外,显然,在对半导体的研究中,有可能获得无序放置在远程系统中的特定痕量元素的局部结构信息。但是,某些结构的复杂性是由于掺入了可改变其对称性的异价元素而产生的,这意味着实验分析必须伴有先进的从头算方法。这些方法通过模拟原子结构或相同的XAS光谱来保证获得对实验数据的更完整和精确的解释。在本文的初步阶段,将说明吸收光谱的现象学和精细阈值结构分析的理论基础。将同时参考格勒诺布尔欧洲同步加速器辐射设施上安装在LISA(或BM08)生产线上的仪器,同时介绍利用同步加速器辐射源在光束线上进行吸收光谱测量的实验技术。进行这项工作的实验。随后,将借助XAFS对半导体中掺杂物的局部结构进行分析的一些实验符号进行综述,以加深相关的实验方法。在论文的主要部分,将对基于掺杂锑的硫化铅的胶体量子点进行一些类型的高级分析。这些系统对光电场中的潜在应用特别感兴趣,已经通过LISA光束线上获得的荧光测量进行了分析。分析阶段看到了一套C ++程序的设计,该程序基于从ab-initio方法获得的结构来创建完整的理论XAS光谱的仿真。

著录项

  • 作者

    Pelli Cresi Jacopo Stefano;

  • 作者单位
  • 年度 2015
  • 总页数
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 it
  • 中图分类

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