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Ultrahigh quality factor in a metal-embedded semiconductor microdisk cavity

机译:金属嵌入式半导体微盘腔中的超高质量因子

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摘要

We numerically and theoretically investigate electrodynamics of a metal-embedded semiconductor microdisk cavity. The electrodynamics of a cavity mode is discussed from the viewpoint of quantum mechanics, which clarifies the condition for high Q factor. Using numerical calculations, we optimize the cavity structure and show that the Q factor can be increased up to 1,700,000. Our study suggests that the metal-embedded cavity is a promising candidate for cavity quantum electrodynamics (QED) devices.
机译:我们在数值上和理论上研究了嵌入金属的半导体微盘腔的电动力学。从量子力学的角度讨论了腔模的电动力学,阐明了高Q因子的条件。通过数值计算,我们优化了腔体结构,并表明Q因子可以增加到1,700,000。我们的研究表明,金属嵌入腔是腔量子电动力学(QED)器件的有希望的候选者。

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