机译:逼真的紧密结合方法在Ⅲ-Ⅴ和Ⅱ-Ⅵ半导体纳米晶体中的电子结构和量子尺寸效应
机译:GaAs纳米晶体的电子和光学精细结构:d轨道在紧密结合方法中的作用
机译:应变对强耦合自组装InAs / GaAs量子点的电子结构的影响:紧束缚方法
机译:II-VI和III-V半导体“预量子”层和量子孔中的激子 - 偏光极吸收
机译:II-VI量子尺寸半导体纳米晶体的电子和光催化性能的尺寸,表面和组成调整。
机译:五石墨烯纳米结构的光电特性的紧束缚模型
机译:III-V和II-VI半导体纳米晶体的电子结构和量子尺寸效应,采用逼真的紧密结合方法