机译:p型3C-SiC四端子器件在机械应力下伪霍尔效应的取向依赖性
机译:单晶3C-SiC(111)四端子器件中的伪霍尔效应
机译:n型3C-SiC(100)中的大型伪霍尔效应及其在应力传感应用中对晶体取向的依赖性
机译:单晶N型3C-SIC(100)薄膜伪厅效果
机译:烷烃硫醇自组装单分子层,反应性自组装单分子层,扁平金纳米颗粒/铟锡氧化物基质的生长介质和温度依赖性结构相的扫描隧道显微镜研究,以及互补金属氧化物中局部机械应力表征的扫描表面光电压显微镜研究半导体器件。
机译:使用3C-SiC-on-Si在气相生长中生长大面积无应力且类似块状的3C-SiC(100)
机译:校正:器件几何形状和晶体取向对3C-SiC(100)四个终端设备应力依赖性偏移电压的影响