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Relaxation of Acceptance Limits (RAL): A Global Approach for Parametric Yield Control of 0.1μm Deep Submicron MOSFET Devices

机译:放宽可接受限度(RAL):0.1μm深亚微米MOSFET器件参数屈服控制的全局方法

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摘要

An alternative method to fixed quality acceptance limits for in-line yield control is proposed. Our study is based on a sensitivity analysis, which has revealed that conventional parametric yield-control techniques using fixed in-line acceptance (tolerance) limits, as traditionally used in semiconductor manufacturing, are not efficient in deep submicron-size devices.
机译:提出了一种固定质量接受极限的替代方法,用于在线产量控制。我们的研究基于灵敏度分析,该分析表明,传统上用于半导体制造的使用固定在线接受(公差)极限的常规参数良率控制技术在深亚微米尺寸的设备中效率不高。

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