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Effects of Nitric Oxide Annealing of Thermally Grown Silicon Dioxide Characteristics

机译：一氧化氮退火对二氧化硅生长特性的影响

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Arts, Education & Law Group, Queensland Conservatorium

机译：昆士兰音乐学院艺术，教育和法律小组

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作者
Harrison Barry; Dimitrijev Sima; Yeow Y.;
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作者单位

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年度 1995
总页数
原文格式 PDF
正文语种 English
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2. Electrical and reliability characteristics of oxynitride gate dielectric grown by diluted steam rapid thermal oxidation and annealed in nitric oxide [J] . C.H. Liu, S.J. Chang, J.F. Chen, Materials Science and Engineering. B, Solid-State Materials for Advanced Technology . 2004,第3期

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