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W-Band GaAs HEMT MMIC Subharmonically Pumped Diode Mixers with 20 GHz IF Bandwidth

机译:具有20 GHz IF带宽的W波段GaAs HEMT MMIC次谐波泵浦二极管混频器

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摘要

Two subharmonically pumped (SHP) diode mixers are designed for wideband W-band RF frequencies, fixed LO frequency operation. These mixers are fabricated on a 4-mil substrate using 0.1- µµµµm GaAs MMIC process. Both simulation and test results show that the mixers are with 12.25 and 11.75 dB average conversion losses, respectively. Both mixers have IF bandwidth wider than 20 GHz. The conversion loss flatness of the symmetric circuit is within ±1.25 dB. To our knowledge, these are the state-of-the-art result on low-conversion-loss wideband MMIC SHP diode mixers.
机译:两个亚谐波泵浦(SHP)二极管混频器专为宽带W波段RF频率,固定LO频率工作而设计。这些混频器使用0.1-µµm GaAs MMIC工艺在4 mil的基板上制造。仿真和测试结果均表明,混频器的平均转换损耗分别为12.25和11.75 dB。两个混频器的IF带宽均超过20 GHz。对称电路的转换损耗平坦度在±1.25 dB之内。据我们所知,这是低转换损耗宽带MMIC SHP二极管混频器的最新技术成果。

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