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【2h】

InP/GaAsSb/InP DHBT monolithic transimpedance amplifier with large dynamic range

机译：具有大动态范围的InP / GaAsSb / InP DHBT单片互阻放大器

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InP/GaAs0.51Sb0.49/InP DHBT (DoubleudHeterojunction Bipolar Transistor) technology isudinvestigated and presented for low power consumption andudhigh power microwave amplification. A low powerudmonolithic transimpedance circuit using InP/GaAsSb/ InPudDHBTs presented a 11.0dB gain, 9.5GHz bandwidth, 46dB

机译：对InP / GaAs0.51Sb0.49 / InP DHBT（双异质结双极晶体管）技术进行了研究并提出了其用于低功耗和高功率微波放大的技术。使用InP / GaAsSb / InP udDHBT的低功耗单片互阻电路呈现11.0dB增益，9.5GHz带宽，46dB

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作者
Zhu Xin; Wang Jing; Pavlidis Dimitris;
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作者单位

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年度 2005
总页数
原文格式 PDF
正文语种 it
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