首页> 外文OA文献 >An Integrated SiGe Dual-band Low Noise Amplifier for Bluetooth, HiperLAN and Wireless LAN Applicationsud
【2h】

An Integrated SiGe Dual-band Low Noise Amplifier for Bluetooth, HiperLAN and Wireless LAN Applicationsud

机译:适用于蓝牙,HiperLAN和无线LAN应用的集成式SiGe双频低噪声放大器 ud

代理获取
本网站仅为用户提供外文OA文献查询和代理获取服务,本网站没有原文。下单后我们将采用程序或人工为您竭诚获取高质量的原文,但由于OA文献来源多样且变更频繁,仍可能出现获取不到、文献不完整或与标题不符等情况,如果获取不到我们将提供退款服务。请知悉。

摘要

A bandpass low noise amplifier ((LNA), which can simultaneously operate at two different frequency bands — 2.35GHz--2.6GHz and 5GHz-6GHz,is presented in this paper.The proposed dual-band LNA can be used for the Bluetooth,HiperLAN and Wireless LAN (IEEE 802.11a)communication applications,and is designed based on IBM 0.25 µm SiGe BiCMOS technology, which has better performance comparing with silicon technology,while lower cost and better integration feasibility comparing with GaAs technology.
机译:本文提出了一种可同时在2.35GHz--2.6GHz和5GHz-6GHz两个不同频带上工作的带通低噪声放大器(LNA)。拟议中的双频带LNA可用于蓝牙, HiperLAN和无线LAN(IEEE 802.11a)通信应用程序是基于IBM 0.25 µm SiGe BiCMOS技术设计的,与硅技术相比具有更好的性能,而与GaAs技术相比具有更低的成本和更好的集成可行性。

著录项

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号