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Wafer Level Integration of a 24 GHz Differential SiGe-MMIC Oscillator with a Patch Antenna using BCB as a Dielectric Layer

机译:使用BCB作为介电层的24 GHz差分SiGe-MMIC振荡器与贴片天线的晶片级集成

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摘要

This paper describes the wafer level inte-gration of a differential 24 GHz SiGe-MMIC oscillator including a buffer amplifier with a differentially driven patch antenna. The patch antenna is realized on 30 µm BCB (Benzo Cyclo Butene) used as a dielectric layer. The radiated power of the patch antenna driven by the oscillator is calculated based on measurements and the result is discussed.
机译:本文介绍了差分24 GHz SiGe-MMIC振荡器的晶片级集成度,该振荡器包括带有差分驱动贴片天线的缓冲放大器。贴片天线在用作电介质层的30 µm BCB(苯并环丁烯)上实现。根据测量结果计算出由振荡器驱动的贴片天线的辐射功率,并讨论了结果。

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