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Low Phase Noise 2 GHz HBT Push-Push VCO Basedudon an Advanced Low Frequency Noise Model

机译:低相位噪声2 GHz HBT推压VCO型 ud先进的低频噪声模型

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摘要

After investigation of the possible HBT lowudfrequency noise sources and their localization in order toudextract a HBT low frequency noise model, the realisationudand performances of a S band Voltage Controlled Oscillatorud(VCO) is reported. This VCO is fully integrated in MMICudtechnology, and is based on a push-push topology. Theudcircuit is covering 280 MHz tuning range around a centreudfrequency of 2 GHz with a phase noise of –95 dBc/Hz at 10udKHz offset.
机译:在调查了可能的HBT低频噪声源及其位置以便反演HBT低频噪声模型之后,报告了S波段压控振荡器的实现 ud(VCO)性能。该VCO完全集成在MMIC ud技术中,并基于推-推拓扑。电路覆盖2 GHz中心频率周围的280 MHz调谐范围,在10 udKHz偏移下的相位噪声为–95 dBc / Hz。

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