首页> 外文OA文献 >Fabrication of Indium Arsenide Quantum Dot Structure for Semiconductor Optical Ampliers
【2h】

Fabrication of Indium Arsenide Quantum Dot Structure for Semiconductor Optical Ampliers

机译:半导体光放大器砷化铟量子点结构的制作

代理获取
本网站仅为用户提供外文OA文献查询和代理获取服务,本网站没有原文。下单后我们将采用程序或人工为您竭诚获取高质量的原文,但由于OA文献来源多样且变更频繁,仍可能出现获取不到、文献不完整或与标题不符等情况,如果获取不到我们将提供退款服务。请知悉。

摘要

Tämä diplomityö tutkii itseorganisoidusti valmistettuja InAs kvanttipisteitä InGaAsP:n ja InP päällä. Työn tavoitteena on ollut sellaisen kvanttipisterakenteen valmistaminen, joka soveltuu optiseen puolijohdevahvistimeen (SOA) tietoliikenneaallonpituuksilla. Työtä varten valmistettiin InAskvanttipistenäytteitä metallo-organisella kaasufaasiepitaksialla. Työn näytteet karakterisoitiin fotoluminesenssi- ja atomivoimamikroskopiamittausmenetelmillä. InAs-saarekkeiden koko ja tiheys optimoitiin ensiksi sopivaksi SOA-rakennetta varten valmistamalla itseorganisoituvia InAs-saarekkeita suoraan InP päälle. Näitä tuloksia käytettiin optimoidun InGaAsP-kerroksen sisältävän rakenteen valmistuksessa. Atomivoimamikroskopiamittaus paljasti, että optimoidun rakenteen InAs-saarekkeet olivat keskimäärin 10 nm korkeita ja 30 nm leveitä. Kvanttipisteiden luminesenssipiikin maksimi havaittiin 1.56 µm aallonpituudella 10 K lämpötilassa.
机译:本文研究了InGaAsP和InP上的自组织InAs量子点。这项工作的目的是制造一种适用于电信波长的光半导体放大器(SOA)的量子点结构。对于这项工作,通过金属有机气相外延制备了InAquantum点样品。通过光致发光和原子力显微镜测量方法对样品进行了表征。首先通过直接在InP顶部制造自组织InAs岛来优化InAs岛的大小和密度,以适合SOA结构。这些结果被用于制造包含优化的InGaAsP层的结构。原子力显微镜测量显示,优化结构的InAs胰岛平均高10 nm,宽30 nm。在10 K下,在1.56 µm处观察到量子点的最大发光峰。

著录项

  • 作者

    Jussila Henri;

  • 作者单位
  • 年度 2010
  • 总页数
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 en
  • 中图分类

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号