首页> 外文OA文献 >Gas sensing properties of very thin TiO2 films prepared by atomic layer deposition (ALD)

【2h】

Gas sensing properties of very thin TiO2 films prepared by atomic layer deposition (ALD)

机译：通过原子层沉积（ALD）制备的非常薄的TiO2薄膜的气敏特性

代理获取

本网站仅为用户提供外文OA文献查询和代理获取服务，本网站没有原文。下单后我们将采用程序或人工为您竭诚获取高质量的原文，但由于OA文献来源多样且变更频繁，仍可能出现获取不到、文献不完整或与标题不符等情况，如果获取不到我们将提供退款服务。请知悉。

页面导航

著录项
引文网络
相似文献
相关主题

著录项

作者
Boyadjiev S.; Georgieva V.; Vergov L.; Baji Zs.; Gáber F.; Szilágyi Imre Miklós;
展开▼
作者单位

展开▼
年度 2014
总页数
原文格式 PDF
正文语种 en
中图分类

相似文献

外文文献
中文文献
专利

1. Adsorption and desorption of toluene on nanoporous TiO2/SiO2 prepared by atomic layer deposition (ALD): influence of TiO2 thin film thickness and humidity [J] . Hyun Ook Seo, Dae Han Kim, Kwang-Dae Kim Adsorption . 2013,第6期

机译：原子层沉积（ALD）制备的纳米多孔TiO2 / SiO2上甲苯的吸附和解吸：TiO2薄膜厚度和湿度的影响
2. Adsorption and desorption of toluene on nanoporous TiO2/SiO2 prepared by atomic layer deposition (ALD): influence of TiO2 thin film thickness and humidity [J] . Hyun Ook Seo, Dae Han Kim, Kwang-Dae Kim, Adsorption . 2013,第6期

机译：原子层沉积（ALD）制备的纳米多孔TiO2 / SiO2上甲苯的吸附和解吸：TiO2薄膜厚度和湿度的影响
3. Gas sensing properties of epitaxial SnO_2 thin films prepared by atomic layer deposition [J] . A. Rosental, A. Tarre, A. Gerst, Sensors and Actuators. B, Chemical . 2003,第1a3期

机译：原子层沉积制备的外延SnO_2薄膜的气敏特性
4. MICROSTRUCTURAL AND ELECTRICAL PROPERTIES OF GADOLINIUM DOPED CERIA THIN FILMS PREPARED BY ATOMIC LAYER DEPOSITION (ALD) [C] . E. Gourba, A. Ringuede, M. Cassir, International Symposium on Solid Oxide Fuel Cells(SOFC VIII); 20030427-20030502; Paris; FR . 2003

机译：原子层沉积（ALD）制备的掺铈铈薄膜的微观结构和电学性质
5. Study of Metal Catalysts Supported on Thin Films of Perovskites Prepared by Atomic Layer Deposition (ALD) [D] . Mao, Xinyu. 2021

机译：用原子层沉积（ALD）制备的钙钛矿薄膜金属催化剂的研究
6. The Effect of Film Thickness on the Gas Sensing Properties of Ultra-Thin TiO2 Films Deposited by Atomic Layer Deposition [O] . Rachel L. Wilson, Cristian Eugen Simion, Christopher S. Blackman, 2018

机译：膜厚对原子层沉积超薄TiO2薄膜气敏特性的影响
7. TiO2/ZnO and ZnO/TiO2 nanofibers prepared by electrospinning and atomic layer deposition (ALD) for photocatalysis and gas sensing [O] . Boyadjiev Stefan I., Kéri Orsolya, Bárdos Péter, 2017

机译：通过电纺和原子层沉积（ALD）制备的TiO2 / ZnO和ZnO / TiO2纳米纤维用于光催化和气体传感
8. Effect of Atomic Layer Depositions (ALD)-Deposited Titanium Oxide (TiO2) Thickness on the Performance of Zr40Cu35Al15Ni10 (ZCAN)/TiO2/Indium (In)-Based Resistive Random Access Memory (RRAM) Structures. [R] . Chin, M. L., Amani, M., O'Regan, T. P., 2015

机译：原子层沉积（aLD） - 沉积二氧化钛（TiO2）厚度对Zr40Cu35al15Ni10（ZCaN）/ TiO2 /铟（In）基电阻随机存取存储器（RRam）结构性能的影响。

Gas sensing properties of very thin TiO2 films prepared by atomic layer deposition (ALD)

著录项

引文网络

相似文献

相关主题

期刊订阅