机译:在积分亮度为6.17 fb $ ^ {-1} $的情况下,在$ \ sqrt {s} $ = 7 TeV时,测量CMS preshower硅传感器的整体泄漏电流
机译:CMS预喷式硅传感器:印度的技术开发和生产
机译:使用CMS实验测量Ös= 7 sqrt {s} = 7 TeV时pp碰撞中包含的W和Z产生的横截面
机译:使用CMS实验测量PP碰撞中PP碰撞中的包含W和Z生产横截面
机译:在高光度LHC下用于CMS实验的新型耐辐射薄n-in-p硅像素传感器的性能
机译:在LHC中搜索厚重的矢量共振,使用带有13 TEV的△-S的载荷和36.1 / FB-1的集成光度
机译:泄漏电流非均匀性和随机电报信号在CMOS图像传感器浮动扩散中用于贴上像素的电荷存储器
机译:在sqrt [s] = 1.96 TeV上pp [over?]碰撞的综合光度的4.8 fb ^ {-1}中寻找tt [over]对的共振产生