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【2h】

Very high two-dimensional hole gas mobilities in strained silicon germanium

机译：应变硅锗中非常高的二维空穴气体迁移率

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作者
Basaran, Engin; Kubiak, Richard A. A.; Whall, Terry E.; Parker, Evan H. C.;
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作者单位

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年度 1994
总页数
原文格式 PDF
正文语种 {"code":"en","name":"English","id":9}
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