机译:具有硅纳米晶的氮化硅电荷陷阱层的纳米尺度存储特性
机译:具有氧化物-氮化物-氧化物结构的非易失性存储器件中的电荷陷阱和界面陷阱
机译:具有硅纳米晶体作为非易失性存储器件电荷捕获层的氮化硅的存储特性
机译:离散电荷陷阱非易失性存储器中集成的硅纳米点的生长和在线表征
机译:背面电荷捕获纳米级硅非易失性存储器。
机译:以富含Si的SiOX作为电荷陷阱层和铟锡锌氧化物的透明非易失性存储器件的特性
机译:电荷陷阱晶体管(CTT):嵌入式完全逻辑兼容的多时可编程非易失性的非易失性存储器,用于高-$ k $-$-$-Metal-Gate CMOS技术