RAPIDO Testing of Assisted Write and Read operations for SRAMs

机译：SRAM的辅助写和读操作的RAPIDO测试

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Nguyen J.; Turgis D.; Bonciani D.; Lhomme B.; Carminati Y.; Callen O.; Guirleo G.; Ciampolini L.; Ghibaudo G.;
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年度 2016
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1. A Two-Write and Two-Read Multi-Port SRAM with Shared Write Bit-Line Scheme and Selective Read Path for Low Power Operation [J] . Dao-Ping Wang, Hon-Jarn Lin, Wei Hwang Journal of Low Power Electronics . 2013,第1期

机译：具有共享写位线方案和低功耗操作的选择性读取路径的两写入两读取多端口SRAM
2. A Half-Select Disturb-Free 11T SRAM Cell With Built-In Write/Read-Assist Scheme for Ultralow-Voltage Operations [J] . He Yajuan, Zhang Jiubai, Wu Xiaoqing, IEEE transactions on very large scale integration (VLSI) systems . 2019,第10期

机译：具有内置写/读辅助方案的半选型无干扰11T SRAM单元，用于超低压操作
3. Internal write-back and read-before-write schemes to eliminate the disturbance to the half-selected cells in SRAMs [J] . Ghasem Pasandi, Massoud Pedram Circuits, Devices & Systems, IET . 2018,第4期

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4. RAPIDO Testing and Modeling of Assisted Write and Read Operations for SRAMs [C] . Joseph Nguyen, David Turgis, David Bonciani, North Atlantic Test Workshop . 2016

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5. Local-spin algorithms for variants of mutual exclusion using read and write operations. [D] . Danek, Robert. 2011

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6. Demonstration of a pseudo-magnetization based simultaneous write and read operation in a Co60Fe20B20/Pb(Mg1/3Nb2/3)0.7Ti0.3O3 heterostructure [O] . Tingting Shen, Vaibhav Ostwal, Kerem Y. Camsari, -1

机译：在Co60Fe20B20 / Pb（Mg1 / 3Nb2 / 3）0.7Ti0.3O3异质结构中基于伪磁化的同时写入和读取操作演示
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