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HOT CARRIER EFFECTS IN SELF-ALIGNED BIPOLAR TRANSISTORS (HOT ELECTRON)

机译：自对准双极性晶体管（热电子）的热载流子效应

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Petersen Stephen Arthur 1957-;
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年度 1986
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1. Hot-carrier degradation and oxide charge build-up in self-aligned etched-polysilicon npn bipolar transistors [J] . Neviani A., Pavan P. IEEE Transactions on Electron Devices . 1997,第11期

机译：自对准蚀刻多晶硅npn双极晶体管中的热载流子降解和氧化物电荷积聚
2. Hot-electron-induced minority-carrier generation in bipolar junction transistors [J] . Ishiuchi H., Tamba N. IEEE Electron Device Letters . 1990,第11期

机译：双极结型晶体管中热电子诱导的少数载流子产生
3. On the effects of hot carriers on the RF characteristics of Si/SiGe heterojunction bipolar transistors [J] . Borgarino M., Tartarin J.G. IEEE Microwave and Guided Wave Letters . 2000,第11期

机译：热载流子对Si / SiGe异质结双极晶体管RF特性的影响
4. Hot carrier effects in advanced self-aligned bipolar transistors [C] . Petersen S.A., Li G.P. Electron Devices Meeting, 1985 International . -1

机译：先进的自对准双极晶体管中的热载流子效应
5. Design, fabrication and characterization of N-channel InGaAsP-InP based inversion channel technology devices (ICT) for optoelectronic integrated circuits (OEIC): Double heterojunction optoelectronic switches (DOES), heterojunction field-effect transistors (HFET), bipolar inversion channel field-effect transistors (BICFET) and bipolar inversion channel phototransistors (BICPT). [D] . Tan, Eugene. 1998

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6. A Self-Aligned a-IGZO Thin-Film Transistor Using a New Two-Photo-Mask Process with a Continuous Etching Scheme [O] . Ching-Lin Fan, Ming-Chi Shang, Bo-Jyun Li, 2014

机译：使用新的具有连续刻蚀方案的双光罩工艺的自对准a-IGZO薄膜晶体管
7. Approaching the Collection Limit in Hot Electron Transistors with Ambipolar Hot Carrier Transport [O] . -1

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8. Analytic Theory of the Auger Transistor: A Hot Electron Bipolar Transistor [R] . Tiwari, S., Wang, W. I., East, J. R. 1990

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