首页> 外文OA文献 >EFFECTS OF CERTAIN PROCESSING VARIABLES ON STACKING FAULT FORMATION IN SILICON CRYSTALS

【2h】

EFFECTS OF CERTAIN PROCESSING VARIABLES ON STACKING FAULT FORMATION IN SILICON CRYSTALS

机译：某些加工变量对硅晶体堆垛层错形成的影响

代理获取

本网站仅为用户提供外文OA文献查询和代理获取服务，本网站没有原文。下单后我们将采用程序或人工为您竭诚获取高质量的原文，但由于OA文献来源多样且变更频繁，仍可能出现获取不到、文献不完整或与标题不符等情况，如果获取不到我们将提供退款服务。请知悉。

页面导航

著录项
引文网络
相似文献
相关主题

著录项

作者
Chang Yang-Ming 1937-;
展开▼
作者单位

展开▼
年度 1977
总页数
原文格式 PDF
正文语种 en_US
中图分类

相似文献

外文文献
中文文献
专利

1. Formation of stacking faults in nitrogen-doped silicon single crystals [J] . W.v. Ammon, R. Hoelzl, T. Wetzel, Microelectronic Engineering . 2003,第1a4期

机译：氮掺杂硅单晶中堆垛层错的形成
2. Doping effects on the stability of stacking faults in silicon crystals [J] . Yutaka Ohno, Yuki Tokumoto, Ichiro Yonenaga Thin Solid Films . 2012,第8期

机译：掺杂对硅晶体堆垛层错稳定性的影响
3. On the role of stacking faults on dislocation generation and dislocation cluster formation in multicrystalline silicon [J] . Maulid M. Kivambe, Torunn Ervik, Birgit Ryningen, Journal of Applied Physics . 2012,第10期

机译：堆垛层错在多晶硅中位错产生和位错簇形成中的作用
4. Effects of high temperature rapid thermal processing on the formation of oxidation induced stacking faults in 300 mm nitrogen-doped Czochralski silicon wafers [C] . Ze Xu, Xiangyang Ma, Daxi Tian, China Semiconductor Technology International Conference . 2012

机译：高温快速热处理对300 mm掺氮Czochralski硅晶片中氧化诱导的堆垛层错形成的影响
5. Hydrogen effects on crystal dislocations and stacking-fault energy. [D] . Ferreira, Paulo Jorge. 1997

机译：氢对晶体位错和堆垛层错能量的影响。
6. Highly bent crystals formed by restrained π-stacked columns connected via alkylene linkers with variable conformations [O] . Chih-Ming Chou, Shunpei Nobusue, Shohei Saito, 2015

机译：由受约束的π堆叠柱形成的高度弯曲的晶体这些柱通过具有可变构象的亚烷基接头连接
7. The diffraction of X-rays by close-packed crystals containing both `growth stacking faults' and `deformation or transformation stacking faults' [O] . R. Gevers 1954

机译：近填充晶体的衍射X射线，其含有两个`生长堆叠故障'和“变形或转换堆叠故障”
8. Behavior of Oxidation Stacking Faults during O2/NF3 Oxidation of Silicon. (Reannouncement with New Availability Information). [R] . Kim, U. S., Jaccodine, R. J. 1987

机译：硅的O2 / NF3氧化过程中氧化堆垛层错的行为。（重新公布新的可用性信息）。

EFFECTS OF CERTAIN PROCESSING VARIABLES ON STACKING FAULT FORMATION IN SILICON CRYSTALS

著录项

引文网络

相似文献

相关主题

期刊订阅