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Recording of multi-level run-length-limited (ML-RLL) modulation signals on phase-change optical disc

机译:在相变光盘上记录多级行程限制(ML-RLL)调制信号

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摘要

The writing and reading of 3 level run-length-limited (RLL) modulation signals on optical discs having active (recording) layers comprised of different phase change materials is discussed. These recordings represent a linear storage density enhancement of 50% Vs conventional (2-level) RLL modulation. Thermal simulations of the mark writing process provide a tool that can be used to optimize write strategies for ML-RLL recording.
机译:讨论了在具有由不同相变材料构成的有源(记录)层的光盘上的三级行程限制(RLL)调制信号的写入和读取。这些记录表示线性存储密度比传统(2级)RLL调制提高了50%。标记写入过程的热模拟提供了可用于优化ML-RLL记录的写入策略的工具。

著录项

  • 作者

    Wu Kuohua Angus;

  • 作者单位
  • 年度 2004
  • 总页数
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 en_US
  • 中图分类

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