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CMOSインバータを用いた全差動OTAの試作と評価 : 高利得化の検討

机译:使用CMOS反相器的全差分OTA的试制和评估:高增益的检验

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摘要

There are strong demmands for low-voltage operating OPA/OTA in deep sub-micron CMOS processes. We have proposed a CMOS inverter based two-stage OTA configuration named FnI+FP OTA, which can operate 1 ~ 1.8 V of supply voltage, for 0.18 μm CMOS process. In this report, three series of fabrication results for the proposed F/F+F/B OTA configurations are presented with their design details. We have improved common-mode rqection ratio and voltage gain Over the prototype chip. The revised chip demonstrated 67 dB of voltage gain, unity frequency of 56 MHz, with 112 dB of CMRR, from 1.8 V of power supply with 3 mA of current consumption.
机译:在深亚微米CMOS工艺中,低压操作OPA / OTA具有很强的优势。我们已经提出了一种基于CMOS反相器的两级OTA配置,称为FnI + FP OTA,它可以在0.18μmCMOS工艺下工作,可提供1〜1.8 V的电源电压。在此报告中,提出了针对F / F + F / B OTA配置的三个系列制造结果及其设计细节。通过原型芯片,我们改善了共模比和电压增益。修改后的芯片在电源电压为1.8 V且电流消耗为3 mA的情况下,显示出67 dB的电压增益,56 MHz的单位频率和112 dB的CMRR。

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