机译:使用Kohn-Sham密度泛函理论计算激发态性质
机译:用于基态和激发态电荷转移的多配置对密度泛函理论的性能优于Kohn-Sham密度泛函理论和多参考微扰理论(vol 11,pg 3643,2015)
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机译:使用密度泛函理论和周期边界条件计算Si:SiO2界面的电子性能
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