首页> 外文OA文献 >Single pulse avalanche robustness and repetitive stress ageing of SiC power MOSFETs
【2h】

Single pulse avalanche robustness and repetitive stress ageing of SiC power MOSFETs

机译:SiC功率MOSFET的单脉冲雪崩鲁棒性和重复应力老化

代理获取
本网站仅为用户提供外文OA文献查询和代理获取服务,本网站没有原文。下单后我们将采用程序或人工为您竭诚获取高质量的原文,但由于OA文献来源多样且变更频繁,仍可能出现获取不到、文献不完整或与标题不符等情况,如果获取不到我们将提供退款服务。请知悉。

摘要

This paper presents an extensive electro-thermal characterisation of latest generation silicon carbide (SiC) Power MOSFETs under unclamped inductive switching (UIS) conditions. Tests are carried out to thoroughly understand the single pulse avalanche ruggedness limits of commercial SiC MOSFETs and assess their aging under repetitive stress conditions. Both a functional and a structural characterisation of the transistors is presented, with the aim of informing future device technology development for robust and reliable power system development.
机译:本文介绍了在未钳位电感开关(UIS)条件下最新一代碳化硅(SiC)功率MOSFET的广泛电热特性。进行测试以彻底了解商用SiC MOSFET的单脉冲雪崩强度极限,并评估其在重复应力条件下的老化。提出了晶体管的功能和结构特性,目的是为将来的器件技术开发提供信息,以实现可靠而可靠的电源系统开发。

著录项

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
代理获取

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号