机译:1.3-1.55μm窗口中变质InAs / InGaAs量子点的带间光电导
机译:在InGaAs / GaAs变质缓冲液上从MOVPE生长的InAs量子点以1.55μm的单光子发射
机译:在GaAs衬底上以1.55μm的单量子点发射的变质方法
机译:InAs-GaAs量子点在低温下生长1.55μm范围内结构的缺陷密度降低
机译:1.55微米波长量子点半导体放大器的高速特性以及与高维结构的比较。
机译:1.3-1.55μm窗口中变质InAs / InGaAs量子点的带间光电导
机译:在1.3-1.55-μm窗口中的变质INAS / INGAAS量子点的间带光电导性