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【2h】

Thermal properties of AlGaN/GaN high electron mobility transistors on 4H and 6H SiC substrates

机译：4H和6H SiC衬底上的AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管的热性能

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Killat Nicole; Pomeroy James W; Jimenez Jose L.; Kuball Martin H H;
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年度 2014
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正文语种 eng
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