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机译:离子束诱导应变下Pb(Zr,Ti)O 3 inf>薄膜的铁电性能
Lee JK; Nastasi M;
机译:应变松弛对外延铁电体Pb(Zr 0.2 inf> Ti 0.8 inf>)TiO 3 inf>薄膜介电性能的影响
机译:铁电体Pb 0.92 inf> La 0.08 inf> Zr 0.52 inf> Ti 0.48 inf> O δ p>的温度相关极化转换特性inf>在镍箔上生长的薄膜
机译:离子束诱导应变下Pb(Zr,Ti)O3薄膜的铁电性能
机译:PbZr 0.52 inf> Ti 0.48 inf> O 3 inf>和BaTiO 3 inf>铁电薄膜的太赫兹电光特性
机译:铁料应变工程的新模式:PBZR1的域结构与性质Xtixo3薄膜
机译:Pb(Zr0.53Ti0.47)O3薄膜中铁电和光学性质的厚度依赖性
机译:A站点和/或B站点修改的PBZRTIO3材料和(PB,SR,CA,BA,MG)(ZR,TI,NB,TA)O3膜可在铁电随机访问存储器和高性能薄膜微执行器中使用
机译:A位和/或B位改性的PbZrTiO3材料和(Pb,Sr,Ca,Ba,Mg)(Zr,Ti,Nb,Ta)O3薄膜在铁电随机存取存储器和高性能薄膜微执行器中具有实用性
机译:A位和/或B位改性的PbZrTiO3材料和(Pb,Sr,Ca,Ba,Mg)(Zr,Ti,Nb,Ta)O3薄膜在铁电随机存取存储器和高性能薄膜微致动器中具有实用性
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