机译:晶粒取向对热氧化取向晶体硅膜界面陷阱密度的影响
机译:使用热氧化Y 2 sub> O 3 sub>中间层的低界面陷阱密度和增强的AlGaN / GaN MOS高电子迁移率晶体管性能
机译:使用多晶硅薄膜晶体管的电特性分析和器件仿真评估前,后氧化物界面和晶界的陷阱状态
机译:低温下界面陷阱密度对SOI NMOS器件硅膜和前氧化层厚度的影响
机译:对二氧化硅膜的热化学气相沉积(CVD)和多晶硅膜的高密度等离子体CVD过程中颗粒形成和传输的研究。
机译:通过热退火和污点蚀刻从非晶硅膜制备的纳米晶硅的高效可见光
机译:晶粒取向对热氧化取向晶体硅膜界面陷阱密度的影响
机译:区域熔化 - 重结晶硅 - 绝缘体薄膜上产生的缺陷相关介电击穿,变化陷阱和界面态氧化物生成