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On-chip Impedance Transformations for a Standard CMOS Process

机译:标准CMOS工艺的片上阻抗转换

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摘要

On-chip impedance matching has become a major focus as companies and institutions move closer to a complete System on a Chip (SoC). With limited design area, it is important to obtain maximum power transfer to the required load. This research presents commonly used impedance matching techniques and extends them to include on-chip networks. These networks have inherent problems caused by the common substrate. It will be shown that the resulting parasitics can be calculated to allow analysis and manipulation of the overall design. It will also be demonstrated that the use of on-chip inductors will cause severe mismatch and loss due to their low quality factors. Finally, test networks will be fabricated in a 1.5-micron process to show the validity of the concepts presented.
机译:随着公司和机构越来越靠近完整的片上系统(SoC),片上阻抗匹配已成为主要关注点。在有限的设计区域内,重要的是要获得最大的功率传输到所需的负载。这项研究提出了常用的阻抗匹配技术,并将其扩展到包括片上网络。这些网络具有由共用基板引起的固有问题。将会显示出,可以计算出产生的寄生效应,以允许对整体设计进行分析和处理。还将证明,使用片上电感器会因其低品质因数而导致严重的失配和损耗。最后,测试网络将以1.5微米的工艺制造,以证明所提出概念的有效性。

著录项

  • 作者

    Greene Charles Edward;

  • 作者单位
  • 年度 2003
  • 总页数
  • 原文格式 PDF
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  • 中图分类

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