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【2h】

PLD法による金属基板上への窒化物半導体薄膜の成長

机译：通过PLD方法在金属衬底上生长氮化物半导体薄膜。

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指導教員: 藤岡, 洋

机译：监事：藤冈弘

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井上茂;
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年度 2005
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3. m 面 SiC 基板上に成長したIII族窒化物半導体薄膜の微細構造観察 [J] . 永井哲也, 川島毅土, 仲野靖孝, 電子情報通信学会技術研究報告. 電子デバイス. Electron Devices . 2006,第45期

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