首页> 外文OA文献 >Diseño de una resistencia integral de alto valor aplicada a un sistema de adquisición de señales neuronales con tecnología MOS
【2h】

Diseño de una resistencia integral de alto valor aplicada a un sistema de adquisición de señales neuronales con tecnología MOS

机译:应用MOS技术应用于神经信号采集系统的高值积分电阻设计。

摘要

La presente tesis presenta el diseño de una resistencia integrada, que se requiereen el bloque de filtrado de un dispositivo médico implantable para un sistema deadquisición de señales neuronales con el fin de obtener una alta constante detiempo y no recurrir a la utilización de resistencias externas en circuitos integrados,siendo así posible abarcar un tópico actual de diseño microelectrónico con alto niveltecnológico. Se presentan los inconvenientes que existen para su desarrollo,métodos de diseño y los requerimientos del mismo.
机译:本发明提出一种集成电阻的设计,该集成电阻需要用于神经信号采集系统的可植入医疗设备的滤波块,以便获得高的时间常数,而不需要在电路中使用外部电阻器。集成,因此能够以高技术水平涵盖微电子设计的当前主题。介绍了其开发,设计方法和要求存在的缺点。

著录项

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号