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机译:CZ-Si单晶中的氧化物沉淀和氧化诱导的堆垛层错研究
末岡 浩治;
机译:用直拉法分析硅单晶生长过程中点缺陷和腔缺陷形成能的第一性原理(掺杂类型和浓度依赖性)
机译:生长质量与玻璃基板上的单晶相当的氧化物薄膜晶体氧化物纳米片作为晶种的横向晶体生长
机译:横向晶体生长与生长氧化物纳米片,具有高质量的氧化物薄膜晶体的质量,与玻璃基板上的单晶相当
机译:用分层化合物作为前体的结晶钒载体载体氧化物催化剂的合成及其选择性氧化催化。
机译:单晶硅中杂质的激子发射和热处理引起的缺陷的研究
机译:熔焊法研究双氧化物的晶体生长:基于氧离子紧密堆积的晶体平面缺陷结构
机译:通过从岩石的挖掘部分收集挖掘的材料作为材料来制造材料的方法
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