首页> 外文OA文献 >Integration of GaN with Si using a AuGe-mediated wafer bonding technique

【2h】

Integration of GaN with Si using a AuGe-mediated wafer bonding technique

机译：使用AuGe介导的晶圆键合技术将GaN与Si集成

代理获取

本网站仅为用户提供外文OA文献查询和代理获取服务，本网站没有原文。下单后我们将采用程序或人工为您竭诚获取高质量的原文，但由于OA文献来源多样且变更频繁，仍可能出现获取不到、文献不完整或与标题不符等情况，如果获取不到我们将提供退款服务。请知悉。

页面导航

著录项
引文网络
相似文献
相关主题

著录项

作者
Funato M; Fujita S;
展开▼
作者单位

展开▼
年度 2000
总页数
原文格式 PDF
正文语种 eng
中图分类

相似文献

外文文献
中文文献
专利

1. GaN/Mirror/Si Light-Emitting Diodes for Vertical Current Injection by Laser Lift-Off and Wafer Bonding Techniques [J] . Dong-Sing WUU, Shun-Cheng HSU, Shao-Hua HUANG, Japanese Journal of Applied Physics. Part 1, Regular Papers & Short Notes . 2004,第8A期

机译：通过激光剥离和晶圆键合技术用于垂直电流注入的GaN /镜/ Si发光二极管
2. Structural and compositional characterization of MOVPE GaN thin films transferred from sapphire to glass substrates using chemical liftoff and room temperature direct wafer bonding and GaN wafer scale MOVPE growth on ZnO-buffered sapphire [J] . S. Gautier, T. Moudakir, G. Patriarche, Journal of Crystal Growth . 2013,第maya1期

机译：使用化学剥离和室温直接晶片键合以及GaN晶片规模在ZnO缓冲蓝宝石上进行GaN晶片规模的MOVPE生长，从蓝宝石转移到玻璃基板的MOVPE GaN薄膜的结构和成分表征
3. Monolithic integration of Si-MOSFET and GaN-LED using Si/SiO2/GaN-LED wafer [J] . Tsuchiyama Kazuaki, Yamane Keisuke, Utsunomiya Shu, Applied physics express . 2016,第10期

机译：使用Si / SiO2 / GaN-LED晶片对Si-MOSFET和GaN-LED进行单片集成
4. Si/InP Heterogeneous Integration Techniques from the Wafer-Scale (Hybrid Wafer Bonding) to the Discrete Transistor (Micro-Transfer Printing) [C] . Andrew D. Carter, Miguel E. Urteaga, Zachary M. Griffith, SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference . 2018

机译：从晶圆级（混合晶圆键合）到分立晶体管（微转移印刷）的Si / InP异质集成技术
5. Sulfur passivation techniques for III-V wafer bonding [D] . Jackson, Michael James 2011

机译：用于III-V晶片键合的硫钝化技术
6. Oxide-Oxide Thermocompression Direct Bonding Technologies with Capillary Self-Assembly for Multichip-to-Wafer Heterogeneous 3D System Integration [O] . Takafumi Fukushima, Hideto Hashiguchi, Hiroshi Yonekura, 2016

机译：带有毛细管自组装的氧化物-氧化物热压直接键合技术用于多芯片至晶圆异质3D系统集成
7. Capacitive pressure sensor with wafer-through silicon vias using SOI-Si direct wafer bonding and glass reflow technique [O] . Jun-Ku Kim, Chang-Wook Baek 2013

机译：电容式压力传感器采用SOI-Si直接晶圆键合和玻璃回流技术的晶片通过硅通孔通孔

Integration of GaN with Si using a AuGe-mediated wafer bonding technique

著录项

引文网络

相似文献

相关主题

期刊订阅