机译:AIGaN / AIN量子阱在深紫外光谱区域发射的内部量子效率极高
机译:(0001)c平面AlGaN多量子阱结构在深紫外光谱区中的极弱表面发射
机译:在纳米图案蓝宝石衬底上生长的基于AlGaN的深紫外发光二极管具有显着改善的内部量子效率
机译:有源区中具有渐变量子结构的AlGaN基深紫外发光二极管的优势
机译:III型氮化物发光二极管内部量子效率提高和效率下降问题的设备工程
机译:局部表面等离子体激元增强了AlGaN基量子阱中深紫外发射的极化和内部量子效率
机译:量子阱数和ALN电子阻挡层对AlGaN深紫外发光二极管电致发光性能的影响