InPおよびGa1-x InxAsyP1-y半導体における衝突イオン化率と光検出デバイスの低雑音化に関する研究

机译：InP和Ga1-x InxAsyP1-y半导体中光电探测器的碰撞电离率和降噪研究

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Kyoto University (京都大学)

机译：京都大学

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逢坂福信;
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年度 1987
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