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1. Electrical Properties of GaAs and InP MOS Diodes and Characterization by Auger Electron Spectroscopy

机译：1. GaAs和InP MOS二极管的电学性质以及俄歇电子能谱表征

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この論文は国立情報学研究所の電子図書館事業により電子化されました。

机译：该论文由美国国家信息学研究所的电子图书馆业务进行了数字化处理。

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作者
土屋勝;
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年度 1983
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